ASML 宣布 EUV 光源技术突破，拟于 2030 年提升芯片产量 50%
ASML 研发人员披露，已成功将极紫外（EUV）光刻机光源功率从 600 W 提升至 1,000 W，预计到 2030 年可使单台机器的芯片产量提高 50%。该技术通过将每秒锡滴数量翻倍至 10 万个并优化双激光脉冲成形实现。受此驱动，单台设备每小时晶圆处理能力将从 220 片增至 330 片，显著降低生产成本。此举旨在应对美国及中国竞争对手的技术挑战，ASML 称未来光源功率有望进一步提升至 2,000 W。
ASML 研发人员披露，已成功将极紫外（EUV）光刻机光源功率从 600 W 提升至 1,000 W，预计到 2030 年可使单台机器的芯片产量提高 50%。该技术通过将每秒锡滴数量翻倍至 10 万个并优化双激光脉冲成形实现。受此驱动，单台设备每小时晶圆处理能力将从 220 片增至 330 片，显著降低生产成本。此举旨在应对美国及中国竞争对手的技术挑战，ASML 称未来光源功率有望进一步提升至 2,000 W。