美光押注堆叠式 GDDR，最快 2027 年推样品

美光已启动堆叠式 GDDR 内存研发，计划在 2026 年下半年完成设备部署并进入工艺测试，最快 2027 年推出约 4 层堆叠样品。该产品定位介于 HBM 与普通 GDDR 之间，目标是在提升带宽的同时，把成本控制在 HBM 之下，主要面向 AI 加速器等客户需求。

这项技术目前仍无量产先例，美光面临芯片互联、功耗和散热，以及堆叠工艺带来的成本控制等挑战。报道提到，三星电子和 SK 海力士尚未公开类似计划，美光若率先实现商业化，可能在 AI 推理和高性能游戏显卡相关的新兴细分市场占得先机。